测量开关参数的标准方法

对于在 SiC 和 GaN 器件上工作的功率设备工程师来说，最大限度地降低开关损耗仍然是一项主要挑战。测量开关参数和评估硅、碳化硅、氮化镓 MOSFET 和 IGBT 动态行为的标准测试方法是双脉冲测试 (DPT)。双脉冲测试可用于测量设备开启和关闭期间的能量损失，以及反向恢复参数。

如何为双脉冲测试生成栅极驱动信号

生成栅极驱动信号以执行双脉冲测试的最简单方法是使用任意波形发生器 (AFG)。AFG 可用于生成栅极驱动信号以执行双脉冲测试。米乐m6网页版登录入口 AFG31000 内置双脉冲测试应用程序，可生成具有不同脉冲宽度的脉冲。

为进行双脉冲测试而设置的设备。

了解详情：

使用 AFG31000 进行双脉冲测试

测量反向恢复

二极管的反向恢复时间是衡量二极管中开关速度的指标，因此会影响转换器设计中的开关损耗。反向恢复电流发生在第二个脉冲接通期间。如图所示，在第 2 阶段，二极管正向导通。当低侧 MOSFET 再次开启时，二极管应立即切换到反向阻断状态；但是，二极管将在短时间内以相反的条件进行，这被称为反向恢复电流。这种反向恢复电流会转化为能量损失，直接影响功率转换器的效率。

双脉冲测试电路。